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芯片制造商Netsol推出STT-MRAM

2023-07-03 10:03:07

    STT-MRAM是一種先進的磁阻,它利用電子自旋的磁性在半導體中提供非易失性。MRAM代表磁阻隨機存取存儲器,是一種使用磁狀態而不是DRAM等設備使用的電荷來存儲數據位的方法。
 
    STT-MRAM由三星電子公司的代工廠制造,得益于三星代工廠的28納米FD-SOI工藝,Netsol MRAM擁有低功耗和更緊湊的尺寸。今年大規模生產STT-MRAM,在從物聯網到醫療和汽車的廣泛行業提供替代品。
 
    Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

 
    容量包括1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。數據保存期10年,擁有無限讀取耐力,寫入耐力1014,無需外部ECC,工業標準引腳及封裝8WSON、8SOP。樣品測試及規格書詳情聯系代理英尚微電子。

Netsol 串行MRAM

Part Number Density Interfaces VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Temperature Package
S3A1004V0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1004R0M 1Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004V0M 2Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004R0M 2Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004V0M 4Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004R0M 4Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004V0M 8Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004R0M 8Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604V0M 16Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604R0M 16Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204V0M 32Mbit Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204R0M 32Mbit Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
 

本文關鍵詞:Netsol,STT-MRAM

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