ISSI IS61WV25616BLL是一款采用ISSI的高性能CMOS技術制造的高速4Mb快速異步SRAM芯片，按16位262,144個字組織。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的器件。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、可輕松擴展內存。低電平有效寫使能 控制存儲器的寫入和讀取。 數據字節允許訪問高字節和低字節。采用標準44TSOPII 封裝。
 
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI504WF16VA是4Mbit異步快速SRAM芯片，CMOS低功耗待機，位寬為256K*16K字，快速訪問時間8ns、10ns、12ns，使用16條公共輸入和輸出線，并有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。
 
EMI504WF16VA具備TTL兼容輸入和輸出，三個狀態輸出，完全靜態操作，專為高速電路設計技術。采用標準44TSOP2封裝，它特別適用于高密度高速系統應用。此款EMI504WF16VA可完美替換兼容IS61WV25616BLL，代理商英尚國際有限公司支持提供樣品測試及必要的FAE技術支持。
 
安徽偉凌創芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲器、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。


本文關鍵詞：SRAM,ISSI, IS61WV25616BLL

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