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FRAM進不了主流內(nèi)存圈子原因

2017-02-13 14:04:43

      鐵電內(nèi)存(FRAM)在技術(shù)上的優(yōu)勢遠遠超越SRAM、DRAM和EEPROM,但由于高昂的生產(chǎn)成本讓其在內(nèi)存主流市場被傳統(tǒng)內(nèi)存碾壓。20多年發(fā)展始終徘徊于主流市場的圈子之外。
      在1990年代中期人們認為鐵電內(nèi)存(FRAM,或FeRAM)將成為主流技術(shù),但至今仍和大部分新內(nèi)存技術(shù)一樣,并沒有如預(yù)期般迅速興起。FRAM的內(nèi)部運作原理與DRAM相似,與 SRAM不相上下的高速度以及如同閃存的非揮發(fā)性;首個成功的FRAM電路問世時,其通用功能就被業(yè)內(nèi)人士認為可以在許多應(yīng)用中替代SRAM、DRAM和EEPROM。
                                             
      “那樣的情況根本就沒有發(fā)生,”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來自O(shè)bjective Analysis)在Cypress收購FRAM供貨商Ramtron時指出:“FRAM技術(shù)比生產(chǎn)傳統(tǒng)內(nèi)存成本更加昂貴。”在80年代晚期,F(xiàn)RAM開發(fā)商因為不了解鐵電材料的物理特性,而遭遇了許多問題。
      盡管經(jīng)過一番周折,F(xiàn)RAM目前已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn),適合多種應(yīng)用的不同產(chǎn)品線。Handy 在最近表示,有人覺察到:“FRAM是未來的技術(shù)主流,而且注定要維持那樣的模式;FRAM在某一段時間的某些方面是具有一定潛力的,但還沒有真正走向主流。”
     如同所有的內(nèi)存技術(shù)那般,昂貴的成本是開拓市場的一大障礙;FRAM需要一層沉積在標(biāo)準(zhǔn)硅基板上的鈣鈦礦(Perovskite)晶體,鈣鈦礦晶體內(nèi)含的元素會干擾硅晶體管,因此需要一個障礙層隔離鈣鈦礦與下方的硅基板。Hady表示,這種結(jié)構(gòu)增加了FRAM組件的制造成本。
      市場對FRAM確實有一些需求;根據(jù)Research and Markets 約一年前發(fā)布的市場研究報告預(yù)測顯示,全球FRAM市場在2013~2018年間可達到16.4%的復(fù)合平均年成長率(CAGR),其低功耗特性是推動市場成長的關(guān)鍵力量。
      FRAM供貨商包括現(xiàn)在歸屬于Cypress的Ramtrom、德州儀器(TI)以及富士通半導(dǎo)體(Fujitsu),各家業(yè)者都擴大了在FRAM硬件與軟件方面的研發(fā)投資,因此提升了FRAM的性能與效益,也擴展了其應(yīng)用領(lǐng)域。
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