鐵電內(nèi)存（FRAM）在技術(shù)上的優(yōu)勢遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越SRAM、DRAM和EEPROM，但由于高昂的生產(chǎn)成本讓其在內(nèi)存主流市場被傳統(tǒng)內(nèi)存碾壓。20多年發(fā)展始終徘徊于主流市場的圈子之外。
      在1990年代中期人們認(rèn)為鐵電內(nèi)存(FRAM，或FeRAM)將成為主流技術(shù)，但至今仍和大部分新內(nèi)存技術(shù)一樣，并沒有如預(yù)期般迅速興起。FRAM的內(nèi)部運(yùn)作原理與DRAM相似，與 SRAM不相上下的高速度以及如同閃存的非揮發(fā)性；首個成功的FRAM電路問世時，其通用功能就被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為可以在許多應(yīng)用中替代SRAM、DRAM和EEPROM。
                                             
      “那樣的情況根本就沒有發(fā)生，”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來自O(shè)bjective Analysis)在Cypress收購FRAM供貨商Ramtron時指出：“FRAM技術(shù)比生產(chǎn)傳統(tǒng)內(nèi)存成本更加昂貴。”在80年代晚期，F(xiàn)RAM開發(fā)商因?yàn)椴涣私忤F電材料的物理特性，而遭遇了許多問題。
      盡管經(jīng)過一番周折，F(xiàn)RAM目前已經(jīng)商業(yè)化量產(chǎn)，適合多種應(yīng)用的不同產(chǎn)品線。Handy 在最近表示，有人覺察到：“FRAM是未來的技術(shù)主流，而且注定要維持那樣的模式；FRAM在某一段時間的某些方面是具有一定潛力的，但還沒有真正走向主流。”
     如同所有的內(nèi)存技術(shù)那般，昂貴的成本是開拓市場的一大障礙；FRAM需要一層沉積在標(biāo)準(zhǔn)硅基板上的鈣鈦礦(Perovskite)晶體，鈣鈦礦晶體內(nèi)含的元素會干擾硅晶體管，因此需要一個障礙層隔離鈣鈦礦與下方的硅基板。Hady表示，這種結(jié)構(gòu)增加了FRAM組件的制造成本。
      市場對FRAM確實(shí)有一些需求；根據(jù)Research and Markets 約一年前發(fā)布的市場研究報(bào)告預(yù)測顯示，全球FRAM市場在2013~2018年間可達(dá)到16.4%的復(fù)合平均年成長率(CAGR)，其低功耗特性是推動市場成長的關(guān)鍵力量。
      FRAM供貨商包括現(xiàn)在歸屬于Cypress的Ramtrom、德州儀器(TI)以及富士通半導(dǎo)體(Fujitsu)，各家業(yè)者都擴(kuò)大了在FRAM硬件與軟件方面的研發(fā)投資，因此提升了FRAM的性能與效益，也擴(kuò)展了其應(yīng)用領(lǐng)域。