Everspin的16Mbit MR4A16BMA35 MRAM專為需求極高的數(shù)據(jù)可靠性和速度的應用場景設計，具備市場上最快的非易失性存儲器性能、均衡的讀/寫性能以及無限的耐用性，為系統(tǒng)設計師帶來了巨大的優(yōu)勢。這些先進的存儲特性確保了自動化設計人員在每次斷電時都能安全、可靠地保存過程數(shù)據(jù)。此外，這項技術還支持無需電池的環(huán)保設計。
 
  MR4A16BMA35提供了與串行EEPROM和串行Flash相兼容的讀/寫時序，實現(xiàn)了無寫入延遲，并且讀/寫耐久性無限。與其它串行存儲器不同，它允許在內存中進行隨機讀寫操作，且寫入之間無需等待。在廣泛的溫度范圍內，它提供了極為可靠的數(shù)據(jù)存儲，是那些需要快速存儲和檢索數(shù)據(jù)及程序的應用的理想存儲解決方案。
 
  Everspin MRAM的長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持特性，在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中顯得尤為重要。該技術的固有耐久性通過避免使用其他非易失性存儲器技術所需的糾錯碼和損耗平衡方案，簡化并加速了產品開發(fā)流程。這是一款非常適合應用于自動控制器的存儲解決方案。Everspin的代理供應商英尚微電子提供各種容量封裝的MRAM產品，并提供相關的產品服務支持。


本文關鍵詞：MR4A16BMA35,MRAM

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