隨著萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。MB85RS2MLY可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用的FRAM存儲(chǔ)芯片。
 
  MB85RS2MLY在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保證10萬(wàn)億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對(duì)于某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的。例如，如果連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)超過(guò)30億次。可靠性測(cè)試符合AEC-Q1001級(jí)，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來(lái)看，MB85RS2MLY保證可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用。采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOP封裝，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有EEPROM。此外，還提供尺寸為5.0x6.0x0.9mm的8引腳DFN（雙扁平無(wú)引線）封裝。
 
  FeRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM已被對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。


本文關(guān)鍵詞：FRAM

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