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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。

Everspin MR10Q01允許對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行隨機(jī)讀寫操作，而且沒有寫入延遲。適合于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。不僅在讀寫耐久性方面表現(xiàn)出色，而且還擁有與串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，并且沒有寫入延遲。

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